内存设置错误造成死机
2007-9-1 来源：PC235.COM 您有问题？请联系我们
一台配置如下的电脑：P4 2.0 GHz CPU、精英P4VXASD主板、Geforce3 Ti200
显卡、希捷60 GB硬盘、HY DDR266 128MB内存、SAMSUNG 17英寸液晶显
示器。原来运行正常，最近对CMOS设置进行优化，然后开机无任何反应。偶
尔可以进入操作系统，但运行不稳定，经常死机。
分 析
一定是COMS中的参数设置错误引起的。
排除过程
确定故障产生原因后，排除故障的过程如下。
(1)反复开机，直到按Delete键进入CMOS，仔细检查影响电脑启动的项目。
(2)进入Advanced Chipset Setting选项组，检查内存相关设置时发现CASLatency参数值
被设置为CL=2。虽然这样在理论上可以提高内存的读写速度，但目前DDR内存的CL值大
多为2.5。
(3)将内存的CL值改为2.5，保存设置后退出CMOS设置。再次开机后顺利启动，运行
Flash MX及Photoshop等多个程序都没有问题，故障排除。
提示
如果实在不能确定是哪个选项引起的故障，可以选择Load BIOS Default Setup选项并按
下Enter键。然后按Y键，将BIOS设置恢复默认，保存设置后一般也可以解决问题。
启 示
CAS Latency的参数值是根据内存条的技术规范而定的，盲目地将其设置为更小的数据
会导致内存工作不正常，甚至无法启动系统。
提示
PC133 SDRAM和DDR266 SDRAM的工作频率都为133 MHz，不同之处在于DDR在工
作时钟周期的上升沿和下降沿都可以传输数据，因此其性能接近266 MHz的普通SDRAM。
目前市场上的PC133 SDRAM的CL值一般为3，符合DDR266标准的DDR SDRAM的CL
值一般为2.5。
CAS是指Column Address Strobe(列地址选通控制器)，CAS Latency(简写CL)是指“列地
址控制器延迟”。简单地说就是内存读写数据时，从CPU发出读写命令到CAS信号被激活所
间隔的时钟脉冲周期。值越小，内存的读写速度就越快。
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